EBIC Amplifier用于對半導體樣品，器件，微納結構可進行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析。通過MM3A/MM4將探針精確定位到探測位置，信號通過弱電流測量屏蔽套件（LCMK）傳輸到SEM/FIB視頻輸入端，并通過SEM/FIB成像。

配置：

• EBIC  Amplifier + MM3A-EMs + LCMK

• EBIC  Amplifier + Prober Shuttle

EBIC Amplifier應用領域：

• 無損失效分析

• IC開路探測

• PN結觀測

• 電阻變化定位

技術參數：

• 最小電流測量：15Fa

• 增益：105 to 1012 V/A

• 帶寬：400Khz

• AC/DC 兩種放大模式

• 輸入電流補償

• 圖像反轉模式

前道工序（front-end-of-line：FEOL）中微縮晶體管，以及在中間工序（Middle-of-line：MOL）和后道工序（back-end-of-line：BEOL）中改進觸點和連線則變得越來越困難。

FEOL涵蓋了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶體管。晶體管作為電氣開關，使用三個電極進行操作：柵極、源極和漏極。源極和漏極之間的導電通道中的電流可以被“開"和“關"，這一操作由柵極電壓控制。

BEOL是加工的最后階段，指的是位于芯片頂部的互連?；ミB是復雜的布線方案，它分配時鐘和其他信號，提供電源和地，并將電信號從一個晶體管傳輸到另一個晶體管。BEOL由不同的金屬層、局部(Mx)、中間線、半全局線和全局線組成。總層數可以多達15層，而Mx層的典型數量在3~6層之間。這些層中的每層都包含（單向）金屬線（組織在規則的軌道中）和介電材料。它們通過填充有金屬的通孔結構垂直互連。

FEOL和BEOL由MOL聯系在一起。MOL通常由微小的金屬結構組成，作為晶體管的源極、漏極和柵極的觸點。這些結構連接到BEOL的局部互連層。雖然單元尺寸在微縮，但要連接到的引腳數量大致不變，意味著接觸它們的難度更大。